西数明年底量产BiCS6闪存:162层堆栈、接口速度翻倍
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BiCS6闪存是下一代产品,堆栈层数最终确定为162层,而非之前所说的170+层,核心容量也提升到了1Tbit,另外就是接口速度也将达到2.0Gbps,相比上代翻倍,不过距离三星最新的8代V-NAND闪存的2.4Gbps还有点距离。
根据西数的计划,BiCS6闪存将从明年初开始生产,但真正大规模量产要到2022年底了,现在的BiCS5闪存还要过渡至少一年。
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